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AO3423L中文资料

厂家型号

AO3423L

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功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO3423L数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO3423 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO3423 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3423L is a Green Product

ordering option. AO3423 and AO3423L are electrically identical.

Features

VDS (V) = -20V

ID = -2 A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 92mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 118mΩ (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 166mΩ (VGS = -2.5V)

ESD Rating: 2000V HBM

更新时间:2025-11-27 9:36:00
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