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ACE5807B中文资料

厂家型号

ACE5807B

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6

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

ACE

ACE5807B数据手册规格书PDF详情

Description

The ACE5807B combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Standard Product ACE5807B is Pb-free.

Features

• VDS (V) = -12V

• ID= -16A

• RDS(ON)

   < 18mΩ (VGS = -4.5V)

   < 22mΩ (VGS = -2.5V)

• DFN2x2-6L Package

更新时间:2025-10-5 15:16:00
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