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ACE1512E中文资料

厂家型号

ACE1512E

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection

数据手册

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生产厂商

ACE

ACE1512E数据手册规格书PDF详情

Description

The ACE1512E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 8V.

It is ESD protected.

Features

• VDS (V)=20V

• ID=6.5A (VGS=4.5V)

• RDS(ON)<21mΩ (VGS=4.5V)

• RDS(ON)<25mΩ (VGS=2.5V)

• RDS(ON)<33mΩ (VGS=1.8V)

• ESD Protected : 2000V

更新时间:2025-10-5 15:16:00
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