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P-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability

SAMSUNG

三星

4-bit Fm I2C-bus LED driver

ETC

知名厂家

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更新时间:2026-5-23 16:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-220
1145
IR
23+
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原厂原装正品
INFINEON/英飞凌
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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TO-263
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
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2025+
TO-220
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