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芯片资料

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F3002	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime	POLYFET	POLYFET
HY-3002	Thyratrons Description Thyratrons are fast acting high voltage switches suitable for a variety of applications including radar, laser and scientific use. PerkinElmer’s thyratrons are constructed of ceramic and metal for strength and long life. Over 300 thyratron types are available from PerkinElmer. The t	PERKINELMER	PERKINELMER
THS3002CDGN	420-MHz HIGH-SPEED CURRENT-FEEDBACK AMPLIFIERS 文件：633.47 Kbytes Page：32 Pages	TI 德州仪器	TI
THS3002DGN	420-MHz HIGH-SPEED CURRENT-FEEDBACK AMPLIFIERS 文件：633.47 Kbytes Page：32 Pages	TI 德州仪器	TI
THS3002ID	420-MHz HIGH-SPEED CURRENT-FEEDBACK AMPLIFIERS 文件：633.47 Kbytes Page：32 Pages	TI 德州仪器	TI

ATL431LIBQDBZR 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款电压基准集成电路，属于电源管理（PMIC）芯片，
ATL431LIBQDBZR 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款电压基准集成电路，属于电源管理（PMIC）芯片，
2025-8-9
ATM90E32AS-AU-Y 模拟前端
ATM90E32AS-AU-Y 模拟前端 – AFE 48-TQFP, IND TEMP 1.8V/3V
2023-4-24
ATF750C-7PX
ATF750C-7PX
2021-8-6
ATGM336H 全新原装现货
ATGM336H，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2020-12-3
ATM90E26-YU-R(原厂授权中国分销商)
主要参数：集成电路（IC） PMIC - 能量测量输入阻抗：1 千欧，400 千欧测量误差： 0.5%_ 电压 - 电源： 2.8V ~ 3.6V 表计类型：单相工作温度： -40°C ~ 85°C 安装类型：表面贴装型封装： 28-SSOP（0.209，5.30mm 宽）
2020-3-2
ATIC164D2
ATIC164 D2 深圳市拓亿芯电子有限公司，本公司具备一般纳税人，可开16点增值税票，货源渠道保证原厂原装正品IC，诚信为本，薄利多销。
2019-3-7