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ATF-21170

0.5-6 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET

Description The ATF-21170 is a high performance gallium arsenide Schottky barrier-gate field effect transistor housed in a hermetic, high reliability package. This device is designed for use in low noise or medium power amplifier applications in the 0.5-6 GHz frequency range. This GaAs FET devic

HP

安捷伦

ATF-21170

0.5-6 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET

HP

安捷伦

Capacitive Switch Controller IC

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ROHM

罗姆

3.2 Gbps 288x288 Crosspoint Switch

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MA-COM

更新时间:2025-12-28 8:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Agilent
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