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位置：首页 > IC中文资料第510页 > AT-42010

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AT-42010

Upto6GHzMediumPowerSiliconBipolarTransistor

Description Hewlett-Packard’sAT-42010isageneralpurposeNPNbipolartransistorthatoffersexcellenthighfrequencyperformance.TheAT-42010ishousedinahermetic,highreliability100milceramicpackage.The4micronemitter-toemitterpitchenablesthistransistortobeusedinmanyd

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

HP
AT-42010

Upto6GHzMediumPowerSiliconBipolarTransistor

Description Avago’sAT-42010isageneralpurposeNPNbipolartransistorthatoffersexcellenthighfrequencyperformance.TheAT-42010ishousedinahermetic,highreliability100milceramicpackage.The4micronemitter-to-emitterpitchenablesthistransistortobeusedinmanydifferentfu

AVAGOAvago

安华高安华高科技

AVAGO
AT-42010

封装/外壳：4-SMD（100 密耳） 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

BroadcomBroadcom Limited

博通博通公司

Broadcom
42010

PowerDividers

文件：162.48 Kbytes Page：3 Pages

ANARENAnaren

安伦

ANAREN
42010

PowerDividers

文件：168.4 Kbytes Page：4 Pages

ANARENAnaren

安伦

ANAREN
FYA-R42010ZX

LEDBARGRAPHDISPLAY

文件：323.66 Kbytes Page：5 Pages

FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd.

复洋宁波复洋光电有限公司

FORYARD

AT-42010产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AT-42010

  • 功能描述

    射频双极小信号晶体管 Transistor Si

  • RoHS

    否

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶体管极性

    NPN

  • 最大工作频率

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    2 V

  • 集电极连续电流

    0.15 A

  • 功率耗散

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 封装/箱体

    SOT-223

  • 封装

    Reel

AT-42010供应商更多...

更新时间：2024-5-25 17:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
AT-42010
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AT-42010
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100mil
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23+
DIP
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