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iscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=50mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •LEDbackl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
更新时间:2025-7-25 20:00:01
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