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AS4LC4M16DG-6S/IT

4MEGx16DRAM

GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin

AUSTIN

Austin Semiconductor

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AS4LC4M16DG-6S/IT

4MEGx16DRAMExtendedDataOut(EDO)DRAM

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GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin

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4MEGx16DRAMExtendedDataOut(EDO)DRAM

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AS4LC4M16DG-6S/IT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AS4LC4M16DG-6S/IT

  • 制造商

    AUSTIN

  • 制造商全称

    Austin Semiconductor

  • 功能描述

    4 MEG x 16 DRAM

更新时间:2025-8-2 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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