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AQY412EHA价格

参考价格：￥17.8252

型号：AQY412EHA 品牌：Panasonic 备注：这里有AQY412EHA多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，AQY412EHA批发/采购报价，AQY412EHA行情走势销售排行榜，AQY412EHA报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AQY412EHA

Normally closed DIP4-pin economic type with reinforced insulation Modem

FEATURES 1. High cost-performance type of PhotoMOS 1 Form B output 2. Low on-resistance This has been realized thanks to the built-in MOSFET processed by our proprietary method, DSD (Double diffused and Selective Doping) method. 3. Reinforced insulation of 5,000 V More t

PANASONIC

松下

AQY412EHA

封装/外壳：4-SMD（0.300"，7.62mm） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：SSR RELAY SPST-NC 550MA 0-60V 继电器 固态继电器

ETC

知名厂家

AQY412EHA

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ETC

知名厂家

AQY412EHA

PhotoMOS GE 1b (4脚型)

PANASONIC

松下

AQY412EHAX

Normally closed DIP4-pin economic type with reinforced insulation Modem

FEATURES 1. High cost-performance type of PhotoMOS 1 Form B output 2. Low on-resistance This has been realized thanks to the built-in MOSFET processed by our proprietary method, DSD (Double diffused and Selective Doping) method. 3. Reinforced insulation of 5,000 V More t

PANASONIC

松下

AQY412EHAZ

Normally closed DIP4-pin economic type with reinforced insulation Modem

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PANASONIC

松下

AQY412EHAZ

PhotoMOS GE 1b (4脚型)

FEATURES\n1. High cost-performance type of\n   PhotoMOS 1 Form B output\n2. Low on-resistance\n   This has been realized thanks to the\n   built-in MOSFET processed by our\n   proprietary method, DSD (Double\n   diffused and Selective Doping) method.\n3. Reinforced insulation of 5,000 V\n   More tha 1. High cost-performance type of\n   PhotoMOS 1 Form B output\n2. Low on-resistance\n   This has been realized thanks to the\n   built-in MOSFET processed by our\n   proprietary method, DSD (Double\n   diffused and Selective Doping) method.\n3. Reinforced insulation of 5,000 V\n   More than 0.4 mm i;

PANASONIC

松下

AQY412EHAX

PhotoMOS GE 1b (4脚型)

PANASONIC

松下

CLC412

Dual Wideband Video Op Amp

文件：1.39832 Mbytes Page：12 Pages

NSC

国半

CLC412AJE

Dual Wideband Video Op Amp

文件：1.39832 Mbytes Page：12 Pages

NSC

国半

CLC412AJP

Dual Wideband Video Op Amp

文件：1.39832 Mbytes Page：12 Pages

NSC

国半

CLC412AMC

Dual Wideband Video Op Amp

文件：1.39832 Mbytes Page：12 Pages

NSC

国半

LF412CH

Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier

文件：565.24 Kbytes Page：13 Pages

NSC

国半

AQY412EHA产品属性

  • 类型

    描述

  • 类型：

    GE

  • 封装：

    DIP4

  • 电压类型：

    AC/DC

  • 输出构成：

    1b

  • 端子形状：

    表面安装端子

  • 包装方式：

    管装包装

  • 包装数量内箱 (管装包装) (个)：

    100

  • 包装数量外箱 (个)：

    1

  • LED电流 [ IF ]：

    50mA

  • LED反向电压 [ VR ]：

    5V

  • 最大正向电流 [ IFP ]：

    1A

  • 部允许损耗 [ Pin ]：

    75mW

  • 负载电压 [ VL ]：

    60V

  • 连续负载电流 [ IL ]：

    0.55A

  • 峰值负载电流 [ Ipeak ]：

    1.5A

  • 输出损耗 [ Pout ]：

    500mW

  • 全部允许损耗 [ Pt ]：

    550mW

  • 耐电压 [ Viso ]：

    5

  • 使用环境温度：

    动作温度 [ Topr ]

  • 使用环境温度：

    保存温度 [ Tstg ]

  • 接合部温度 [ Tj ]：

    125°C

  • 动作LED电流(平均)：

    1.4mA

  • 动作LED电流(最大)：

    3.0mA

  • 复位LED电流(最小)：

    0.4mA

  • 复位LED电流(平均)：

    1.3mA

  • LED压降(平均) [ VF ]：

    1.25V

  • LED压降(最大) [ VF ]：

    1.5V

  • 导通电阻(平均) [ Ron ]：

    1 ohm

  • 导通电阻(最大) [ Ron ]：

    2.5 ohm

  • 开路状态漏电流(最大) [ ILeak ]：

    10μA

  • 过电流保护功能：

    无功能

  • 动作时间(平均)：

    3.0ms

  • 动作时间(最大)：

    10ms

  • 复位时间(平均)：

    0.2ms

  • 复位时间(最大)：

    1.0ms

  • 输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ]：

    0.8pF

  • 输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ]：

    1.5pF

  • 输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ]：

    1

  • [推荐动作条件] LED电流 [ IF ]：

    最小：5mA　最大：30mA

  • [推荐动作条件] 负载电压 [ VL ]：

    最大：48V

  • [推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ]：

    最大：0.55A

AQY412EHA供应商更多...

更新时间：2026-7-31 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
AQY412EHA
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