型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
APT80GP60B2

POWER MOS 7 IGBT

文件:94.99 Kbytes Page:6 Pages

ADPOW

APT80GP60B2

MOSFET

APT

晶科

IGBT w/o anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

封装/外壳:TO-247-3 变式 包装:托盘 描述:IGBT 600V 100A 1041W TMAX 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Microchip

微芯科技

APT80GP60B2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT80GP60B2

  • 功能描述

    IGBT 600V 100A 1041W TMAX

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    POWER MOS 7®

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-22 19:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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