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参考价格：￥22.3552

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APT50GN60BG	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT50GN60BG	IGBT 文件：292.75 Kbytes Page：6 Pages	ADPOW	ADPOW
APT50GN60BG	封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IGBT 600V 107A 366W TO247 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
APT50GN60BG	IGBT w/o anti-parallel diode	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
APT50GN60BG	Resonant Mode Combi IGBT 文件：137.27 Kbytes Page：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT50GN60BG	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT50GN60BG	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT50GN60B	IGBT 文件：292.75 Kbytes Page：6 Pages	ADPOW	ADPOW
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APT50GN60SG	Resonant Mode Combi IGBT 文件：137.27 Kbytes Page：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

APT50GN60BG供应商更多...

更新时间：2026-5-20 22:59:00

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2021-3-12
APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号 APT60GF120JRDQ3 Manufacturer Or OEM Microsemi Corporation 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 说明 IGBT Module NPT 单路 1200V 149A 625W 底座安装 ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）最低订购数量 1 标准包装 1
2020-12-11
APT30DQ60BG 原装优势
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2020-7-20
APT50M60JVR 假一罚十
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2020-6-29
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2020-2-23
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2019-3-5