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APT50GN60BDQ2G	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT50GN60BDQ2G	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：IGBT 600V 107A 366W TO247 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	Microchip 微芯科技	Microchip

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更新时间：2025-10-5 11:10:00

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2021-3-12
APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号 APT60GF120JRDQ3 Manufacturer Or OEM Microsemi Corporation 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 说明 IGBT Module NPT 单路 1200V 149A 625W 底座安装 ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）最低订购数量 1 标准包装 1
2020-12-11
APT30DQ60BG 原装优势
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2020-7-20
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2020-6-29
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2020-2-23
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2019-3-5