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APT5024BVFR	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Fast Recovery Body	ADPOW	ADPOW
APT5024BVFR	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.42 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5024BVFR	POWER MOS V 500V 22A 0.240 Ohm	APT 晶科电子	APT
APT5024BVFRG	FREDFET	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
NTE5024A	Zener Diode, 1/2 Watt 짹5 Tolerance Features: ● Zener Voltage 2.4 to 200V ● DO35 Package	NTE	NTE
NTE5024SM	Zener Diode, 300mW 짹5 Tolerance Features: Zener Voltage 3.3V to 24V SOT–23 Type Surface Mount Package Absolute Maximum Ratings: Maximim Repetitive Peak Forward Current, IFRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA Maximim Repetitive Peak Working Current, IZRM . . . . . . . . . .. . . . . . . .	NTE	NTE
PT5024J	POSITIVE INPUT/NEGATIVE OUTPUT INTEGRATED SWITCHING REGULATOR 文件：141.1 Kbytes Page：6 Pages	TI 德州仪器	TI
PT5024L	POSITIVE INPUT/NEGATIVE OUTPUT INTEGRATED SWITCHING REGULATOR 文件：141.1 Kbytes Page：6 Pages	TI 德州仪器	TI
PT5024S	POSITIVE INPUT/NEGATIVE OUTPUT INTEGRATED SWITCHING REGULATOR 文件：141.1 Kbytes Page：6 Pages	TI 德州仪器	TI

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更新时间：2026-3-18 20:00:00

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2021-3-12
APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号 APT60GF120JRDQ3 Manufacturer Or OEM Microsemi Corporation 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 说明 IGBT Module NPT 单路 1200V 149A 625W 底座安装 ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）最低订购数量 1 标准包装 1
2020-12-11
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2020-7-20
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2020-2-23
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2019-3-5