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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
APT5018BFLL	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalongwithexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology
APT5018BFLL	POWERMOS7FREDFET 文件：98.02 Kbytes Page：5 Pages	ADPOW Advanced Power Technology
APT5018BFLL	iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：419.77 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT5018BFLL_03	POWERMOS7FREDFET 文件：98.02 Kbytes Page：5 Pages	ADPOW Advanced Power Technology
5018	HexHeadBindingPost 文件：24.59 Kbytes Page：2 Pages	POMONA Pomona Electronics
5018	PHASEADJUSTABLEADAPTERSMAFEMALETOSMAMALE 文件：126.45 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
5018C	CustomerSpecification 文件：71.28 Kbytes Page：3 Pages	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
5018R-MR	SuperServer5018R-MR 文件：88.32 Kbytes Page：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
ACE5018T	UltraLowCurrentConsumption300mACMOSVoltageRegulator 文件：1.07449 Mbytes Page：12 Pages	ACE ACE Technology Co., LTD.

类型
描述
型号
APT5018BFLL
制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS

APT5018BFLL供应商更多...

更新时间：2024-5-13 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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APT32F101H6S6，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-3-12
APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号APT60GF120JRDQ3 ManufacturerOrOEMMicrosemiCorporation 描述IGBT1200V149A625WSOT227 说明IGBTModuleNPT单路1200V149A625W底座安装ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL）1（无限）最低订购数量1 标准包装1
2020-12-11
APT30DQ60BG 原装优势
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-20
APT50M60JVR 假一罚十
进口原装正品，欢迎咨询。
2020-6-29
APT10M11JVFR，APT150GN120J，APT150GN120JDQ4，APT150GN60J，APT150GN60JDQ4
APT10M11JVFR，APT150GN120J，APT150GN120JDQ4，APT150GN60J，APT150GN60JDQ4
2020-2-23
APT8020JFLL
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2019-3-5