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APT36GA60B价格
参考价格：￥21.1443
型号：APT36GA60B 品牌：Microsemi 备注：这里有APT36GA60B多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，APT36GA60B批发/采购报价，APT36GA60B行情走势销售排行榜，APT36GA60B报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
APT36GA60B | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon | Microsemi 美高森美 |   | |
APT36GA60B | High Speed PT IGBT 文件：217.94 Kbytes Page：6 Pages | Microsemi 美高森美 | | |
APT36GA60B | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages | Microsemi 美高森美 | | |
APT36GA60B | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 65A 290W TO-247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Microchip 微芯科技 | | |
APT36GA60B | IGBT w/o anti-parallel diode | Microchip 微芯科技 | | |
Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon | Microsemi 美高森美 | | ||
IGBT DESCRIPTION · Fast switching with low EMI · Low conduction loss · Low gate charge APPLICATIONS · Welding · UPS, solar, and other inverters · High frequency, high effi ciency industrial | ISC 无锡固电 | | ||
Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages | Microsemi 美高森美 | | ||
High Speed PT IGBT 文件：247.49 Kbytes Page：9 Pages | Microsemi 美高森美 | | ||
IGBT w/ anti-parallel diode | Microchip 微芯科技 | | ||
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 65A 290W TO-247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Microchip 微芯科技 | | ||
High Speed PT IGBT 文件：217.94 Kbytes Page：6 Pages | Microsemi 美高森美 | |
APT36GA60B产品属性
- 类型
描述
- 型号
APT36GA60B
- 功能描述
IGBT 600V 65A 290W TO-247
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
POWER MOS 8™
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
25+ |
TO-3P |
258 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
|||
24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
|||||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
Microsemi(美高森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
Microchip Technology |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Microsemi |
24+ |
N/A |
5600 |
正常排单原厂正规渠道保证原装正品 |
|||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
APTMICROSEMI |
17+ |
TO-247B |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
MICROSEMI |
25+ |
TO-247 |
326 |
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2021-3-12APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号 APT60GF120JRDQ3 Manufacturer Or OEM Microsemi Corporation 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 说明 IGBT Module NPT 单路 1200V 149A 625W 底座安装 ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级（MSL） 1（无限） 最低订购数量 1 标准包装 1
2020-12-11APT30DQ60BG 原装优势
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-20APT50M60JVR 假一罚十
进口原装正品 ，欢迎咨询。
2020-6-29APT10M11JVFR，APT150GN120J，APT150GN120JDQ4，APT150GN60J，APT150GN60JDQ4
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2020-2-23APT8020JFLL
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2019-3-5
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