APT34N80B2C3G价格

参考价格:¥45.9301

型号:APT34N80B2C3G 品牌:Microsemi 备注:这里有APT34N80B2C3G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,APT34N80B2C3G批发/采购报价,APT34N80B2C3G行情走势销售排行榜,APT34N80B2C3G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.145Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SuperJunctionMOSFET

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

SuperJunctionMOSFET

文件:182.51 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW

APT34N80B2C3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT34N80B2C3G

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-5-12 15:59:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROSEMI/美高森美
21+
TO247
9852
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
APTMICR
2020+
TO-247
4800
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TO247
52500
郑重承诺只做原装进口现货
SSCP
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原装现货假一赔十
APTMICR
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80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
MICROCHIP(美国微芯)
24+
TO-247
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
Microsemi
24+
TO-247-3
5600
正常排单原厂正规渠道保证原装正品
Microsemi
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全新原装优势
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原厂原封
8200
原装现货库存.价格优势!!
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原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样

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