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APT30M36B2LL	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. POWER MOS 7™ Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7TMby significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching losses along wit	ADPOW	ADPOW
APT30M36B2LL	POWER MOS 7 R MOSFET 文件：169.22 Kbytes Page：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT30M36B2LL	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：420.04 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT30M36B2LL	POWER MOS 7 300V 84A 0.036 Ohm	APT 晶科电子	APT
APT30M36B2LLG	N-Channel MOSFET ROHS	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
APT30M36B2LL_04	POWER MOS 7 R MOSFET 文件：169.22 Kbytes Page：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT30M36B2FLL	POWER MOS 7 FREDFET 文件：171.44 Kbytes Page：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT30M36B2FLL	POWER MOS 7 FREDFET 文件：177.1 Kbytes Page：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT30M36B2FLLG	POWER MOS 7 FREDFET 文件：177.1 Kbytes Page：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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更新时间：2026-8-1 11:29:00

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APT32F101H6S6，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-3-12
APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号 APT60GF120JRDQ3 Manufacturer Or OEM Microsemi Corporation 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 说明 IGBT Module NPT 单路 1200V 149A 625W 底座安装 ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）最低订购数量 1 标准包装 1
2020-12-11
APT30DQ60BG 原装优势
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2020-7-20
APT50M60JVR 假一罚十
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2020-6-29
APSG160EC3102MJB5S深圳市光华微科技有限公司0755-83203002
ECST350EIJ272MM20S Nippon Chemi-Con 全系列可售
2020-6-5
APT10M11JVFR，APT150GN120J，APT150GN120JDQ4，APT150GN60J，APT150GN60JDQ4
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2020-2-23