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APT30M30LFLLG	MOSFET Power FREDFET - MOS7	Microchip 微芯科技	Microchip
APT30M30JLL	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. POWER MOS 7™ Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7TMby significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching losses along wit	ADPOW	ADPOW
APT30M30JLL	POWER MOS 7 R MOSFET POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon	ADPOW	ADPOW
APT30M30JLL	N-Channel MOSFET DESCRIPTION · Drain Current -ID= 88A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.03Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converter · PFC Circuits · Power Supplies	ISC 无锡固电	ISC
APT30M30JFLL	POWER MOS 7 FREDFET 文件：152.67 Kbytes Page：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT30M30LFLL	POWER MOS 7 FREDFET 文件：154.44 Kbytes Page：5 Pages	ADPOW	ADPOW

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更新时间：2025-12-29 23:00:00

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2021-3-12
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制造商零件编号 APT60GF120JRDQ3 Manufacturer Or OEM Microsemi Corporation 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 说明 IGBT Module NPT 单路 1200V 149A 625W 底座安装 ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）最低订购数量 1 标准包装 1
2020-12-11
APT30DQ60BG 原装优势
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2020-7-20
APT50M60JVR 假一罚十
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2020-6-29
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2020-6-5
APT10M11JVFR，APT150GN120J，APT150GN120JDQ4，APT150GN60J，APT150GN60JDQ4
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2020-2-23