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APT27GA90K

High Speed PT IGBT

High Speed PT IGBT POWER MOS 8® is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff - VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and

MICROSEMI

美高森美

APT27GA90K

High Speed PT IGBT

MICROCHIP

微芯科技

APT27GA90K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT27GA90K

  • 功能描述

    IGBT 900V 48A 223W TO-220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    POWER MOS 8™

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2026-8-2 16:30:00
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