APT150GN60B2G价格

参考价格:¥81.5732

型号:APT150GN60B2G 品牌:Microsemi 备注:这里有APT150GN60B2G多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,APT150GN60B2G批发/采购报价,APT150GN60B2G行情走势销售排行榜,APT150GN60B2G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
APT150GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon

MICROSEMI

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APT150GN60B2G

封装/外壳:TO-247-3 变式 包装:托盘 描述:IGBT 600V 220A 536W SOT227 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

MICROCHIP

微芯科技

APT150GN60B2G

IGBT w/o anti-parallel diode

MICROCHIP

微芯科技

APT150GN60B2G

Thunderbolt IGBT

文件:178.2 Kbytes Page:6 Pages

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APT150GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

文件:9.86083 Mbytes Page:44 Pages

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Power Semiconductors Power Modules

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Thunderbolt IGBT

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APT150GN60B2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT150GN60B2G

  • 功能描述

    IGBT 600V 220A 536W SOT227

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-27 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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专营模块,继电器,公司原装现货
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