型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
APT102GA60L

High Speed PT IGBT

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Microsemi

美高森美

APT102GA60L

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:托盘 描述:IGBT 600V 183A 780W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Microchip

微芯科技

APT102GA60L

IGBT w/o anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

APT102GA60L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT102GA60L

  • 功能描述

    IGBT 600V 183A 780W TO264

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-23 13:10:00
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