APT100GN60B2G价格

参考价格:¥39.1143

型号:APT100GN60B2G 品牌:Microsemi 备注:这里有APT100GN60B2G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,APT100GN60B2G批发/采购报价,APT100GN60B2G行情走势销售排行榜,APT100GN60B2G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
APT100GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon

Microsemi

美高森美

APT100GN60B2G

封装/外壳:TO-247-3 变式 包装:管件 描述:IGBT 600V 229A 625W TMAX 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Microchip

微芯科技

APT100GN60B2G

IGBT w/o anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

APT100GN60B2G

IGBT

文件:395.6 Kbytes Page:6 Pages

ADPOW

APT100GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

文件:9.86083 Mbytes Page:44 Pages

Microsemi

美高森美

APT100GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules

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Microsemi

美高森美

IGBT

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ADPOW

APT100GN60B2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT100GN60B2G

  • 功能描述

    IGBT 600V 229A 625W TMAX

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-5 16:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APT
25+
60A/1200V/IG
50
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
APT Semiconductor
24+
32000
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
APT
23+
T-MAX
6000
原装正品,支持实单
MICROSEMI
638
原装正品
APT
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
Microchip Technology
23+
标准封装
2000
全新原装正品现货直销
24+
N/A
65000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
Microsemi Corporation
22+
9000
原厂渠道,现货配单
APT
23+
TO-3PL
7300
专注配单,只做原装进口现货
KIA
23+
TO-220F
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!

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