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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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AP997 | AQUA PROOF ORION S2047N-BG45WH IMP FSC 文件：1.21574 Mbytes Page：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |   | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220CFM isolation package is widely preferred for all commercial-industrial through hole applications. | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220CFM isolation package is widely preferred for all commercial-industrial through hole applications. | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼Low Gate Charge ▼Single Drive Requirement ▼Surface Mount Package | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：99.15 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：98.82 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：57.32 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：640.83 Kbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：93.17 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | APEC 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：93.17 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：64.42 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Power MOSFETs | APEC 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：64.37 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：64.37 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：70.97 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：99.92 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | APEC 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：99.92 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：99.31 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：99.16 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：99.16 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：99.61 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：173.91 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Speed 文件：173.91 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：237.06 Kbytes Page：6 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：101.59 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：102.5 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：101.59 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：237.06 Kbytes Page：6 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：101.59 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：185.11 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：100.81 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Single Drive Requirement 文件：100.81 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：53.89 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：203.35 Kbytes Page：6 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：203.35 Kbytes Page：6 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：203.35 Kbytes Page：6 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：91.29 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：168.54 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Speed 文件：175.22 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：103.98 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：896.89 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：963.53 Kbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：104.59 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.13807 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：127.35 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.13809 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：159.75 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Performance 文件：93.84 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Performance 文件：103.49 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.07 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：103.98 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：104.59 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：214.16 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.0832 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
AP997产品属性
- 类型
描述
- 型号
AP997
- 制造商
A-POWER
- 制造商全称
Advanced Power Electronics Corp.
- 功能描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APEC/富鼎 |
24+ |
NA/ |
31500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
富鼎 |
25+ |
TO-220F |
50 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
|||
APEC/富鼎 |
22+ |
SOT223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
APEC/富鼎 |
25+ |
TO-252 |
45000 |
APEC/富鼎全新现货AP9971GH-HF即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
富鼎 |
15+ |
TO-220 |
280 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
富鼎 |
2024+ |
TO-220 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
|||
APEC/富鼎 |
22+ |
SOT-223 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
APEC富鼎 |
2011+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品现货 |
|||
APEC/富鼎 |
24+ |
SOP-8 |
498902 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
Advanced Power Electronics Cor |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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2019-10-16
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