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AP5N10DF

丝印代码:5000;100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 100V ID = 5A - RDS(ON)

APME

永源微电子

AP5N10DF

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 150mΩ ID 10A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, p

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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CYSTEKEC

全宇昕科技

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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CYSTEKEC

全宇昕科技

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PANJIT

強茂

更新时间:2026-7-24 10:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes(美台)
26+
NA
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Diodes
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