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位置：首页 > IC中文资料第4257页 > AP2012SF4C

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AP2012SF4C

2.0x1.25mm INFRA-RED EMITTING DIODE

Description SF4 Made with Gallium Aluminum Arsenide Infrared Emitting diodes. Features ● 2.0mmx1.25mm SMT LED,1.1mm THICKNESS. ● MECHANICALLY AND SPECTRALLY MATCHED TO THE PHOTOTRANSISTOR. ● WATER CLEAR LENS. ● PACKAGE: 2000PCS / REEL. ● RoHS COMPLIANT.

Kingbright

今台电子

AP2012SF4C

2.0x1.25mm INFRARED EMITTING DIODE

Description SF4 Made with Gallium Aluminum Arsenide Infrared Emitting diodes. Features ● 2.0mmx1.25mm SMD LED,1.1mm thickness. ● Mechanically and spectrally matched to the phototransistor. ● Package: 2000pcs / reel. ● Moisture sensitivity level : level 3. ● RoHS compliant.

TO-GRACE

至恩科技

AP2012SF4C

封装/外壳：2012（5030 公制） 包装：散装 描述：EMITTER IR 880NM 50MA 2012 光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光

Kingbright

今台电子

AP2012SF4C

红外发射管

Kingbright

今台电子

AP2012SF4C-P22

2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode

DESCRIPTION ● SF4 Made with Gallium Aluminum Arsenide Infrared Emitting diodes FEATURES ● 2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 1.1 mm thickness ● Mechanically and spectrally matched to the phototransistor ● Package : 2000 pcs / reel ● Moisture sensitivity level: 3 ● RoHS compliant APPLICATIONS ● Inf

TO-GRACE

至恩科技

AP2012SF4C-P22

2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode

DESCRIPTION ● SF4 Made with Gallium Aluminum Arsenide Infrared Emitting diodes. FEATURES ● 2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 1.1 mm thickness ● Mechanically and spectrally matched to the phototransistor ● Package : 2000 pcs / reel ● Moisture sensitivity level: 3 ● RoHS compliant APPLICATIONS ● In

Kingbright

今台电子

AP2012SF4C-P22

封装/外壳：0805（2012 公制） 包装：散装 描述：2.0X1.2MM INFRARED SMD LED 光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光

Kingbright

今台电子

APT2012SF4C

2.0x1.25 mm INFRARED EMITTING DIODE

Description SF4 Made with Gallium Aluminum Arsenide Infrared Emitting diodes. Features ● 2.0mmx1.25mm SMT LED,0.75mm THICKNESS. ● MECHANICALLY AND SPECTRALLY MATCHED TO THE PHOTOTRANSISTOR. ● WATER CLEAR LENS. ● PACKAGE: 2000PCS / REEL. ● MOISTURE SENSITIVITY LEVEL : LEVEL 3. ● RoHS CO

Kingbright

今台电子

APT2012SF4C-PRV

2.0x1.25 mm INFRARED EMITTING DIODE

Description SF4 Made with Gallium Aluminum Arsenide Infrared Emitting diodes. Features ● 2.0mmx1.25mm SMD LED,0.75mm thickness. ● Mechanically and spectrally matched to the phototransistor. ● Package: 2000pcs / reel. ● Moisture sensitivity level : level 3. ● RoHS compliant.

TO-GRACE

至恩科技

APT2012SF4C-PRV

Mechanically and spectrally matched to the phototransistor

DESCRIPTION ● SF4 Made with Gallium Aluminum Arsenide Infrared Emitting diodes FEATURES ● 2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 0.75 mm thickness ● Mechanically and spectrally matched to the phototransistor ● Package: 2000pcs / reel ● Moisture sensitivity level: 3 ● Halogen-free ● RoHS complia

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今台电子

AP2012SF4C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AP2012SF4C

  • 功能描述

    LED IR CLEAR GAALAS SMT

  • RoHS

    是

  • 类别

    光电元件 >> 红外发射极

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,200

  • 系列

    - 电流 - DC

  • 正向(If)

    100mA

  • 辐射强度(le)最小值@正向电流

    27mW/sr @ 100mA

  • 波长

    940nm

  • 正向电压

    1.6V

  • 视角

    40°

  • 方向

    顶视图

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    径向

  • 包装

    带卷(TR)

AP2012SF4C供应商更多...

更新时间：2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
AP2012SGC
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    2012-12-4

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