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丝印代码:AP180N03P;30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:3.01449 Mbytes Page:5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The 2021-8 J-lead package provides good on-resistance performance and space saving like SC-70-6. ▼ Capable of 2.5V gat

A-POWER

富鼎先进电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS=30V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS=30V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

N-Channel Enhancement MOSFET

Application o Load switch « High Frequency Switching and Synchronous Rectification o Active Clamp in Intermediate « DCIDC Power Supplies

TECHPUBLIC

台舟电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 30V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS=30V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS=30V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS=30V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 40V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 40V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

45V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 45V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

63V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 63V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

65V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 65V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 85V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 85V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 85V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 85V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 85V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 85V ID =180A - RDS(ON)

APME

永源微电子

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

APEC

富鼎先进

包装:盒 描述:USB-C PD, QUICK CHARGE 3.0 计算机设备 配件

ETC

知名厂家

包装:散装 描述:USB-C PD, QUICK CHARGE 3.0 计算机设备 配件

ETC

知名厂家

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

APEC

富鼎先进

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:56.42 Kbytes Page:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor . . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD180 is complementary with BD179

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W)

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS

MOSPEC

统懋

Silicon Power Transistor High Power Audio Amplifier

Description: The NTE180 (PNP) and NTE181 (NPN) are silicon complementary transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in complementary audio amplifiers to 100 watts music power per channel. Features: • High DC Current Gain: hFE = 25 – 100 @ IC = 7.5A • Excellent

NTE

500 mW DHD ZENER DIODE DO-35

DESCRIPTION NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance und

NEC

瑞萨

500 mW DHD ZENER DIODE DO-35

DESCRIPTION NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance und

NEC

瑞萨

AP180产品属性

  • 类型

    描述

  • Operating_Voltage:

    2.7~5.6V

  • Operating_Current:

    4A

  • Quiescent_Iq:

    100μA

  • Iq in_Shutdown:

    <1μA

  • Rdson:

    21mΩ

  • Package:

    DFN3*2-14L

更新时间:2026-5-24 21:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
2450+
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
NS
22+
SOP
3000
原装正品,支持实单
JST/日压
2608+
/
484664
一级代理,原装现货
金升阳
900
MORNSUN
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
FCLN
23+
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
国半
23+
SOP
3600
绝对全新原装!现货!特价!请放心订购!
Banner Engineering
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
JST/日压
26+
NA
360000
只做原装
JST
05+
原厂原装
5270
只做全新原装真实现货供应

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    特点 - 双PWM控制电路 - 工作电压可高达至50V - 可调节死区时间控制(DTC) - 欠压锁定(UVLO)保护 - 短路保护(SCP) - 可变振荡器频率...... 500KHz的最大 - 2.5V参考电压输出 - 16引脚PDIP和​​SOP封装 AP2001集成脉宽调制(PWM)到一个单一芯片的控制电路,主要电源稳压器的设计。所有的功能包括一个片上2.5V参考输出,两个误差放大器,可调振荡器,两个死区时间比较器,欠压

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    特点 - 单或双电源应用 - 0.8V+1.0%的参考电压。 - 快速瞬态响应。 - 同步运行的高效率(95%) - 片上电源良好,过电压保护。 - 体积小,具有最少的外部元件 - 软启动和启用功能 - 工业级温度范围 - 欠压锁定功能 - SOP- 14L封装 应用 - 微处理器核心供电 - 低成本的同步应用 - 电压调节模块(VRM) - 解除武装,复员和重返社会终止用

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  • AP2004-PWM降压控制器

    特点 - PWM降压控制电路 - 工作电压可高达至27V - 欠压锁定(UVLO)保护 - 短路保护(SCP) - 软启动电路 - 可变振荡器频率 - 300KHz时最大 - 1.25V参考电压输出 - 8引脚PDIP和​​SOP封装 应用 - 背光逆变器 - 液晶显示器 - XDROM,XDSL产品 - 直流/直流转换器,电脑等 AP2004集成脉

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    AP1701/2/3/4用于微处理器(μP)监控电源监控电路μP和数字系统。他们提供优良的省去了外部电路的可靠性和低成本组件和+5 V的使用时的调整,+3.3 V,+3.0 V供电的电路。这些电路执行一个单一的功能:他们断言只要VCC电源电压复位信号低于预设的阈值下降,保持VCC已上升后,至少140ms的断言复位阈值以上。复位阈值适用于各种供应的运作电压可。 AP1701/2/3/4有推拉输出。 AP1701/3有一个活跃的低复位输出,而AP1702/ 4有一个活跃的RESET输出高。复位比较忽略VCC上快速瞬变,并输出保证在正确的逻辑国家的VCC低至1V。低电源电流在便携式使用AP1701/

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