型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AON7422E

30V N-Channel MOSFET

General Description The AON7422E combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 30V ID (at VGS=10V) 40A

AOSMD

万国半导体

AON7422E

场效应管

HXYMOS

华轩阳电子

AON7422E

低压MOSFET (12V - 30V)

AOS

美国万代

MachFlex™, 21G C #16 Str BC, PVC-NYL Ins, OA TC Brd, TPE Jkt, TPE Jkt,1000V WTTC, 600V TC-ER

Product Description MachFlex™ for High Flex, 2+1G Conductor 16AWG (26x30) Bare Copper, PVC-NYL Insulation, Overall Tinned Copper Braid(85%) Shield, TPE Inner Jacket, TPE Outer Jacket, 1000V WTTC, 600V TC-ER

BELDEN

百通

Strain Relief Mounting Hole Punches

文件:130.259 Kbytes Page:1 Pages

HEYCO

짹0.1째C Accuracy, 16-Bit, Digital I2C Temperature Sensor for VSM Applications

文件:419.26 Kbytes Page:23 Pages

AD

亚德诺

Dual-Channel, RF-Sampling AFE With 14-Bit, 9-GSPS DACs and 14-Bit, 3-GSPS ADCs

文件:78.97 Kbytes Page:4 Pages

TI

德州仪器

AFE7422 Dual-channel, RF-sampling AFE with 14-bit, 9-GSPS DACs and 14-bit, 3-GSPS ADCs

文件:362.65 Kbytes Page:8 Pages

TI

德州仪器

AON7422E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AON7422E

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 20A DFN3X3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-27 18:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS
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