型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AON7408

30V N-Channel MOSFET

General Description The AON7408 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in general purpose applications. Features VDS(V) = 30V ID= 23A (VGS= 10V) RDS(ON)

AOSMD

万国半导体

AON7408

低压MOSFET (12V - 30V)

AOS

美国万代

30V N-Channel MOSFET

General Description The AON7408 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in general purpose applications. Features VDS(V) = 30V ID= 23A (VGS= 10V) RDS(ON)

AOSMD

万国半导体

Quad 2-Input AND Gates

General Description This device contains four independent gates each of which performs the logic AND function.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-AND GATES

文件:625.05 Kbytes Page:16 Pages

TI

德州仪器

BEAM PENTODE FOR AF POWER-AMPLIFIER APPLICATIONS

文件:553.48 Kbytes Page:5 Pages

edi

Common Mode Inductors/EMI Filters

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Bourns

伯恩斯

7000 Series Miniature Toggle Switches

文件:1.03503 Mbytes Page:14 Pages

CK-COMPONENTS

力特

AON7408产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AON7408

  • 功能描述

    MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-9-19 18:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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现货,原厂原装假一罚十!
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15000
全新原装现货,价格优势

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