型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AON3816

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON3816/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. AON3816 and AO3816L are electrica

AOSMD

万国半导体

AON3816

20V N-Channel MOSFET

文件:374.69 Kbytes Page:5 Pages

AOSMD

万国半导体

20V N-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Key Features: •Low rDS(on) trench technology •Low thermal impedance •Fast switching speed

AnalogPower

2횞15W Filterless Low EMI Stereo Class D Audio Power Amplifier

文件:438.5 Kbytes Page:9 Pages

YONGFUKANG

永福康

3/8 Square Drive Sockets, SAE

文件:158.63 Kbytes Page:3 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

AON3816产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AON3816

  • 功能描述

    MOSFET DUAL N-CH 20V 4A 8-DFN

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-8-16 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
24+
NA/
40
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
AOS/万代
12+
DFN3x3
40
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
AOS/万代
22+
DFN
100000
代理渠道/只做原装/可含税
AOS/万代
25+
DFN33
54558
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
AOS/万代
22+
DFN3x3A-8L
25000
AOS/万代全系列在售
AOS/万代
12PB
DFN3x3
3100
ALPHA&OMEGASEMICONDUCTOR
21+
NA
2870
只做原装,假一罚十
AOS/万代
24+
DFN3X3
498037
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
ALPHA&OMEGASEMICONDUCTOR
23+
NA
25630
原装正品
AOS/万代
21+
DFN33
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税

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