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AON3816	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON3816/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. AON3816 and AO3816L are electrica	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON3816	20V N-Channel MOSFET 文件：374.69 Kbytes Page：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON3816	低压MOSFET (12V - 30V)	AOS 美国万代	AOS
AON3816_10	20V N-Channel MOSFET 文件：374.69 Kbytes Page：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AM3816N	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Key Features: •Low rDS(on) trench technology •Low thermal impedance •Fast switching speed	AnalogPower	AnalogPower
3816	Circuit Playground Bolt-On Kit 文件：471.16 Kbytes Page：2 Pages	Adafruit	Adafruit
CS3816	2횞15W Filterless Low EMI Stereo Class D Audio Power Amplifier 文件：438.5 Kbytes Page：9 Pages	YONGFUKANG 永福康	YONGFUKANG

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更新时间：2026-1-5 14:24:00

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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列逻辑电平门
2020-8-6
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2019-9-4
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2019-3-28