型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AO4924

Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4924 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A monolithically integrated Schottky diode in parallel with the

AOSMD

万国半导体

AO4924

Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

General Description The AO4924 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A monolithically integrated Schottky diode in parallel with the

AOSMD

万国半导体

AO4924

Dual N-Channel MOSFET

■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 9 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

AO4924

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFETPower MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Notebook System Power • Low Current DC/DC

VBSEMI

微碧半导体

AO4924

低压MOSFET (12V - 30V)

AOS

美国万代

Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

General Description The AO4924 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A monolithically integrated Schottky diode in parallel with the

AOSMD

万国半导体

Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:1.01103 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:1.00461 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:165.54 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.46538 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTER

杜因特

AO4924产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4924

  • 功能描述

    MOS N CH DUAL 30V 9A 7.3A SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    SRFET™

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-9-29 12:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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