型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AO4850

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4850 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. AO4850 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). Features VDS (V) = 75V ID = 3.1A (VG

AOSMD

万国半导体

AO4850

Dual N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 75V ● ID = 3.1A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

AO4850

MOSFET:Dual-Channel

AOS

美国万代

Dual N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 75V ● ID = 3.1A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

SWAGE/FORCE FIT STANDOFFS

[KEYSTONE] SWAGE/FORCE FIT STANDOFFS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

SWAGE/FORCE FIT STANDOFFS

文件:336.76 Kbytes Page:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

SMA Female Panel Receptacle

文件:23.04 Kbytes Page:1 Pages

POMONA

Pomona Electronics

Flexible LED Strip - 352 LEDs per meter - 1m long - Pink

文件:141.59 Kbytes Page:2 Pages

Adafruit

9A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

文件:348.87 Kbytes Page:6 Pages

KIA

可易亚半导体

AO4850产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4850

  • 功能描述

    MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-23 14:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品.优势专营
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原厂渠道 可含税出货

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