型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AO4830

80V Dual N-Channel MOSFET

General Description The AO4830 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS (V) = 80V ID = 3.5A (VGS = 10V) RDS(ON) 100 UIS Tested 100 Rg T

AOSMD

万国半导体

AO4830

Dual N-Channel MOSFET

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KEXIN

科信电子

AO4830

MOSFET:Dual-Channel

AOS

美国万代

Dual N-Channel MOSFET

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KEXIN

科信电子

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOSMD

万国半导体

NYLON M/F HEX STANDOFF

文件:80.39 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:224.95 Kbytes Page:5 Pages

AnalogPower

16-ch Isolated Digital Input and 16-ch Isolated Digital

文件:473.85 Kbytes Page:1 Pages

ADVANTECH

研华科技

16-ch Isolated Digital Input and 16-ch Isolated Digital

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ADVANTECH

研华科技

16-ch Isolated Digital Input and 16-ch Isolated Digital

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ADVANTECH

研华科技

AO4830产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4830

  • 功能描述

    MOSFET 2N-CH 80V 3.5A 8SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-23 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
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50000
只做原装正品
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325199
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
AOS/万代
23+
SOP-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
AOS(万代)
23+
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20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

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