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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AO4826

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4826 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4826L is a Green Product order

AOSMD

万国半导体

AO4826

Dual N-Channel MOSFET

General Features VDS = 60V ID =6.3 A RDS(ON)

UMW

友台半导体

AO4826

Dual N-Channel MOSFET

General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features VDS = 60V ID =6.3 A RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

AO4826

MOSFET：Dual-Channel

AOS

美国万代

AO4826

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件：1.08332 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AO4826

60V Dual N-Channel MOSFET

文件：170.3 Kbytes Page：4 Pages

AOSMD

万国半导体

AO4826-HF

Dual N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 6.3A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

AO4826L

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4826 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4826L is a Green Product order

AOSMD

万国半导体

AO4826_10

60V Dual N-Channel MOSFET

文件：170.3 Kbytes Page：4 Pages

AOSMD

万国半导体

4826

NYLON HEX STANDOFF

[KEYSTONE] MALE/FEMALE THREADED STANDOFFS PC 104 MOUNTING KITS NYLON STANDOFFS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

4826

Minigrabber Test Clip With Pin Jack

文件：27.6 Kbytes Page：1 Pages

POMONA

Pomona Electronics

ACE4826B

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：517.679 Kbytes Page：6 Pages

ACE

AO4826产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4826

  • 功能描述

    MOSFET DUAL N-CH 60V 6.3A 8-SOIC

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 型

    2 个 N 沟道（双） FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

AO4826供应商更多...

更新时间：2025-10-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
AO4826
AOS
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