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AO4812-HF

Dual N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 6A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead

TUOFENG

拓锋半导体

Ultra Precision Bulk Metal Film Resistors

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WELWYN

Metal Film Resistors Metal Film Resistors

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TTELEC

Category 6 Enhanced Cable, 4 Pair, U/UTP, CMR

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BELDEN

百通

Ideal resistor for precision instrumentation

文件:410.61 Kbytes Page:3 Pages

TTELEC

更新时间:2025-11-23 22:56:00
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