型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AO4801A

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4801A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4801A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications) Features VDS (V) = -30V

AOSMD

万国半导体

AO4801A

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches

VBSEMI

微碧半导体

AO4801A

30V P-Channel MOSFET

文件:279.74 Kbytes Page:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AO4801A

30V P+P MOSFET

JGSEMI

台湾金锆

AO4801A

P沟道MOSFET (8V - 60V)

AOS

美国万代

Dual P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -5 A (VGS = -10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

30V Dual P-Channel MOSFET

General Description The AO4801AL combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10V

AOSMD

万国半导体

30V P-Channel MOSFET

文件:279.74 Kbytes Page:5 Pages

AOSMD

万国半导体

包装:托盘 描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

ETC

知名厂家

Ethernet to 8-Port RS-232 Serial Server

Features • Ethernet 10/100BaseT (autosense) • Appears as a virtual COM port to host machine • Data rates to 230.4K bps • Supports custom baud rates and 9-bit protocol • Eight DB9M connectors with full modem control signals implemented • Hot-swappable • Built-in watchdog/reset circuit automa

SEALEVEL

MALE/FEMALE THREADED STANDOFFS

文件:310.8 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Power Transformers Fully Enclosed

文件:89.55 Kbytes Page:1 Pages

FILTRAN

费尔兰特

Picoammeter

文件:236.89 Kbytes Page:3 Pages

TEKTRONIX

泰克

100/1000 Base T Gigabit Dual Port Transformer

文件:312.38 Kbytes Page:1 Pages

ALLIED

AO4801A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4801A

  • 功能描述

    MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-23 14:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS
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SOP8
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SOP
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