型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AO4627

30V Complementary MOSFET

General Description The AO4627 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This complementary N and P channel MOSFET configuration is ideal for low Input Voltage inverter applications. Product Summary N-Channel P-Channel VDS=

AOSMD

万国半导体

AO4627

Complementary Trench MOSFET

文件:3.18966 Mbytes Page:7 Pages

KEXIN

科信电子

AO4627

N-Chanel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology

文件:3.90962 Mbytes Page:8 Pages

DOINGTER

杜因特

AO4627

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.23123 Mbytes Page:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AO4627

互补型功率MOSFETs

AOS

美国万代

Complementary Trench MOSFET

文件:3.74613 Mbytes Page:7 Pages

KEXIN

科信电子

Relampable Indicator Light

文件:92.43 Kbytes Page:1 Pages

VCC

High Performance Multi-channel Audio CODEC

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AKM

旭化成微电子

High Performance Multi-channel Audio CODEC

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AKM

旭化成微电子

High Performance Multi-channel Audio CODEC

文件:668.1 Kbytes Page:46 Pages

AKM

旭化成微电子

Evaluation board Rev.0 for AK4627

文件:1.8638 Mbytes Page:72 Pages

AKM

旭化成微电子

AO4627产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4627

  • 功能描述

    MOSFET N/P-CH 30V 4.5/3.5A 8SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2026-3-2 14:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS(万代)
25+
标准封装
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我们只是原厂的搬运工
AOS/万代
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