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AM82731-050

RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

DESCRIPTION The AM82731-050 device is a high power silicon bipolar NPN transistor specifically designed for S-Band radar pulsed output and driver applications. ■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION ■ EMITTER SITE BALLASTED ■ RUGGEDIZED VSWR 3:1 @ 1 dB OVERDRIVE ■ LOW THERMAL RESISTANCE ■ INPUT/OUT

STMICROELECTRONICS

意法半导体

AM82731-050

NPN RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The AM82731-050 is a Common Base Device Designed for Pulsed S-Band Pulse output and driver Applications. FEATURES INCLUDE: • Input/Output Matching • Gold Metallization • Emitter Ballasting

ASI

AM82731-050

NPN RF POWER TRANSISTOR

ETC

知名厂家

AM82731-050

S-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

STMICROELECTRONICS

意法半导体

AM82731-050产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AM82731-050

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

更新时间:2026-1-28 15:10:00
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