SGT隔离栅MOS

为了降低硬开关电路开关损耗，提高开关速度，瑶芯微电子推出了SGT（split gate trench)系列中低压MOSFET。因其和常规沟槽工艺结构显著区别，隔离栅极（SGT）可以做到小的Qgd电荷，使米勒平台尽快渡过。并且工艺上对体二极管恢复时间做优化，很大幅度抑制了开关振荡，进一步减小开关损耗，使开关曲线快速又柔和。结合低导通电阻（Ron），使整个系统发热降低，提高系统效率。瑶芯微的SGT mos的电压范围覆盖30V-200V范围各种电流规格以及各种封装方式，方便用户选用。适合电机驱动，快充，开关电源，LED等系统应用。

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime

SRAM NV Controller With Reset

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230 MHz Video Amplifier System

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230 MHz Video Amplifier System

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