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AIS326DQTR

MEMS inertial sensor 3-axis, low g accelerometer with digital output

文件:662.5 Kbytes Page:49 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

AIS326DQTR

封装/外壳:28-QFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:ACCEL 2-6G I2C/SPI 28QFPN 传感器,变送器 运动传感器 - 加速计

STMICROELECTRONICS

意法半导体

AIS326DQTR

振动和加速度传感器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

POWER TRANSISTORS(6A,375-400V,75W)

NPN SILICON POWER TRANSISTOR The BU326 and BU326A Type are a fast switching high voltage transistor, more specially intended for in color TV receivers chopper supplies.

MOSPEC

统懋

POWER TRANSISTORS(6A,375-400V,75W)

NPN SILICON POWER TRANSISTOR The BU326 and BU326A Type are a fast switching high voltage transistor, more specially intended for in color TV receivers chopper supplies.

MOSPEC

统懋

HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The BU326A is a silicon multiepitaxial mesa NPN transistor in Jedec TO-3 metal case particularly intended for switch-mode CTV supply system. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE ■ NPN TRANSISTOR ■ FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS: ■ POWER SUPPLIES ■ LINEAR AND SWITCHING IND

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 100 to 500 MHz frequency range. • Guaranteed Performance @ 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 40 Watts Minimum Gain = 9.0 dB • Built–In Matching Network for Broadb

MOTOROLA

摩托罗拉

Silicon P-Channel JFET Transistor General Purpose AF Amplifier

Silicon P–Channel JFET Transistor General Purpose AF Amplifi

NTE

AIS326DQTR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AIS326DQTR

  • 功能描述

    加速计 - 板上安装 MEMS inertial sensor 3-axis low g accel

  • RoHS

  • 制造商

    Murata

  • 传感轴

    Double

  • 加速

    12 g

  • 输出类型

    Analog 数字输出 -

  • 位数

    11 bit

  • 电源电压-最大

    5.25 V

  • 电源电压-最小

    4.75 V

  • 电源电流

    4 mA

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

更新时间:2026-3-17 20:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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