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ADM8N20E

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant

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爱德微

ADM8N20E

MOSFET

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爱德微

Fast Switching Speed

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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

更新时间:2025-10-10 14:18:00
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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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    ADP3414JRZ ADI 19+ 5000 ADR430ARZ ADI 19+ 5000 REF193GSZ-REEL ADI 19+ 5000 AD706JRZ-REEL7 ADI 19+ 5000 AD8529ARZ ADI 19+ 5000 AD823ARZ ADI 19+ 5000 AD817AR ADI 19+ 5000 AD828ARZ-REEL7 ADI 19+ 5000 AD8542A ADI 19+ 5000 AD444ARZ ADI 19+ 5000 AD586KRZ ADI 19+ 5000 ADM3072EARZ ADI 19+ 5000 A

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