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ADM25N03Z

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM25N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l

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爱德微

ADM25N03Z

MOSFET

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爱德微

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@12A

PANJIT

強茂

N-Channel Power MOSFET

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JIANGSU

长电科技

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

High density cell design for ultra low Rdson

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HMSEMI

华之美半导体

更新时间:2025-9-25 15:28:00
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