500 ns maximum propagation delay

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500 ns maximum propagation delay

2.5A 输出电流 IGBT 门驱动光电耦合器

ACNV3130 内含 AlGaAs LED，通过光学耦合到带有功率输出的集成电路，提供最高 2.5A 的电流输出。ACNV3130 采用 500mil DIP-10封装，适合高达 1700V/100A 的 IGBT 驱动设计，封装提供广爬电距离和电气间隙以及高绝缘电压，可以满足高功率应用，如新兴 690V 中电压驱动、可再生能源逆变器、牵引驱动和电源等设计需求。ACNV3130 拥有业内最高的 13mm 爬电距离和电气间隙，并分别取得 UL 的 VISO = 7.5VRMS 和 IEC60747-5-5 的 VIORM = 2262VPEAK 认证。 ·2.5A 最大输出电流\n·500ns 最高传播延迟\n·350ns 最大传播延迟差\n·VCM = 1,500V 时最低 40kV/μs 共模抑制 (CMR) 能力\n·ICC = 5.0mA 最高耗电流\n·带滞后欠压锁定 (UVLO, Under Voltage Lock-Out) 保护\n·15V 到 30V 广工作电源范围\n·-40°C 到 105°C 工业级温度范围\n·安全规范认证：·UL：7,500VRMS/1min\n·CSA\n·IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 VIORM = 2262VPEAK\n\n·封装选择：·300 = 鸥翼型表面贴装\n·500;

高速光耦合器 2.5A Gate Drive Optocoupler

Silicon planar type

Silicon planar type For stabilization of power supply ■ Features • Mini type package (3-pin) • Allowing to achieve a high-density set • Sharp rising performance • Wide voltage range: VZ = 2.0 V to 36 V

Silicon planar type

Silicon planar type For stabilization of power supply ■ Features • Mini type package (3-pin) • Allowing to achieve a high-density set • Sharp rising performance • Wide voltage range: VZ = 2.0 V to 36 V

Silicon planar type

Silicon planar type For stabilization of power supply ■ Features • Mini type package (3-pin) • Allowing to achieve a high-density set • Sharp rising performance • Wide voltage range: VZ = 2.0 V to 36 V

Silicon planar type

Silicon planar type For stabilization of power supply ■ Features • Mini type package (3-pin) • Allowing to achieve a high-density set • Sharp rising performance • Wide voltage range: VZ = 2.0 V to 36 V

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