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A5G35H055N

Airfast RF Power GaN Transistor

ETC

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A5G35H055N

3400-3600 MHz,7.6 W平均值,48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

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包装:散装 描述:AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2025-12-22 11:41:00
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