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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4946 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead

TUOFENG

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更新时间:2025-12-13 16:02:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    功能 驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置 半桥(2) 接口 模拟 技术 DMOS 步进分辨率 - 应用 通用 电流 - 输出 3.5A 电压 - 供电 8V ~ 40V 电压 - 负载 8V ~ 40V 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)裸露焊盘 供应商器件封装 8-SOIC-EP

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  • A4950ELJTR

    原装现货

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