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芯片资料

精确

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CL21B104KBCNNN	Wide temperature compensation and voltage range 文件：242.16 Kbytes Page：17 Pages	Samsung 三星	Samsung
CL21B104KBCNNNC	SPECIFICATION 文件：139.89 Kbytes Page：2 Pages	Samsung 三星	Samsung
CL21B104KBFNNN	Wide temperature compensation and voltage range 文件：242.16 Kbytes Page：17 Pages	Samsung 三星	Samsung
CL21B104KBFNNNE	CAP, 100?? 50V, 짹10, X7R, 0805 文件：83.06 Kbytes Page：2 Pages	Samsung 三星	Samsung
CL21B104KCFSFNE	Multi-layer Ceramic Capacitor 文件：147.63 Kbytes Page：2 Pages	Samsung 三星	Samsung

A21B104G供应商更多...

更新时间：2025-11-22 19:12:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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A1-ILBT06
A1-ILBT06
2023-2-7
A2T27S020GNR1
全新原装现货支持第三方机构验证
2023-1-5
A3213ELHLT-T
A3213ELHLT-TA3213ELHLT-TA3213ELHLT-TA3213ELHLT-T
2021-2-3
A2106V
A2106V，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-3
A2106V-11
A2106V-11，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-3
A2916-双路全桥PWM电机驱动器
UDN2916B，UDN2916EB，并UDN2916LB电机驱动器设计用于驱动一个双极步进电机绕组或双向控制两个直流电机。这两种桥有能力维持45 V和包括内部脉冲宽度调制（PWM）控制输出电流为750毫安。输出都得到了优化低输出饱和压降（小于1.8伏总源，加上在500毫安接收器）。PWM电流控制，最大输出电流为确定用户的选择参考电压和感应电阻。选择两个逻辑电平输入输出电流限制为0，33，67，或100％的最高水平。每座桥的A相输入决定负载电流方向。桥梁包括接地夹和反激式二极管对感应瞬变保护。内部产生的延误防止交叉电流开关电流方向时。特别上电顺序不是必需的。热保护电路禁用的产出，如果芯片温度超
2012-12-7