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N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH?줚II MOSFET

DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY™ Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested b

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-26 20:00:01
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