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75NF68

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:1.2892 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=68V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance; -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel68V,0.010OHM,80A,TO-220STripFETIIPowerMOSFET

Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFET™processhasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itistherefore suitableinadvancedhigh-efficiencyswitchingapplications. ■Exceptionaldv/dtcapability ■1

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-7-31 9:19:00
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