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71V67703S75BQG8

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports fast access times: – 7.5ns up to 117MHz clock frequency – 8.0ns up to 100MHz clock frequency – 8.5ns up to 87MHz clock frequency ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global write c

RENESAS

瑞萨

71V67703S75BQG8

封装/外壳:165-TBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2026-3-6 11:16:00
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