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71V25761S200PFG8

128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features ◆ 128K x 36 memory configuration ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 200MHz 3.1ns clock access time – 183MHz 3.3ns clock access time – 166MHz 3.5ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global wr

RENESAS

瑞萨

71V25761S200PFG8

封装/外壳:100-LQFP 包装:托盘 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-11-24 20:00:00
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